МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА кафедра БІТ
З В І Т до лабораторної роботи №4 з курсу: «Електроніка та мікросхемотехніка, частина 1» на тему: «Аналіз характеристик малосигнальних підсилюючих каскадів на біполярних» Львів – 2013 Мета роботи: 1. Вивчитиосновні характеристики і параметри малосигнальних підсилюючих каскадів. 2. Вивчити метод аналізу малосигнальних підсилювачів за допомогою еквівалентних схем. 3. Вивчити основні характеристики і параметри малосигнальних підсилюючих каскадів на БТ з CЕ, CК і ПРО. 4. Виконати інженерний розрахунок малосигнального підсилювача і розрахувати його основні параметри. 5. За допомогою пакету OrCAD провести аналіз характеристик підсилювача і дослідити вплив елементів схеми на основні характеристики. Вихідні дані: Схема включення транзистора: із загальним емітером (рис. 1); Тип БТ Uкэ0, В Iк0, мА Ег, мВ Rг, Ом Rн, кОм Сн, нФ  КТ358Б 10 5 4 300 8 0.15   Параметри транзистора КТ358Б: Струк-тура h21Эmin…h21Эmax |h21э|/ на f, МГц Cк, пФ Cэ, пФ Iкб0, мкА Uкэmax, В Iк max, мА Pк max, мВт  p-n-p 10…100 4/20 5 15 10 30 30 100   Граничні частоти: fн = 20 Гц, fв = 20000 Гц. / Рис. 1. Принципова схема підсилювального каскаду. 1. Розрахунок елементів принципової схеми підсилювального каскаду. 1.1. Для забезпечення стабілізації робочої точки падіннянапруги на резисторі RЕ (потенціал емітера) можна вибрати з умови
(1)
а напруга живлення Uип вибирається відповідно до виразу
(2)
для забезпечення максимального значення амплітуди неспотвореного вихідного сигналу. 1.2. Опір резисторів RЭ і RК знаходимо за виразами
(3)

(4)
З ряду номіналів резисторів вибираємо: Rк = 2 кОм, Rэ = 400 Ом. 1.3. Знаходимо струм бази:
(5)
і потенціал бази транзистора:
(6) де напругу база-емітер в робочій точці для кремнієвого транзистора можна прийняти Uбэ0 = 0,6 В.
1.4. Для забезпечення працездатності схеми стабілізації задаємося струмом подільника напруги, утвореного резисторами R1 і R2, в десять разів більшого від струму бази:
(7)
1.5. Знаходимо опори R1 і R2:
(8)

(9)
З ряду номіналів резисторів вибираємо: R1 = 12 кОм, R2 = 1,6 кОм. 1.6. Ємності конденсаторів знаходимо з умов:
(10)
(11)
(12)

(13)
(14) З вхідної вольт-амперної характеристики транзистора знаходимо вхідний опір h11Э:
(15)
Тепловий потенціал φт при температурі 300К дорівнює 26 мВ.


(16)


(17)

(18)
З таблиці номіналів вибираємо конденсатори: C1 = 91 мкФ, C2 = 82 мкФ, Cэ = 220 мкФ. C1 C2 Cб R1 R2 Rэ Rк...